
9月8日 ,三星电子与阿斯麦(ASML)宣布扩大战略合作。三星将加入推动12英寸光罩技术发展的行业合作计划,并计划于2028年前首次将阿斯麦高数值孔径(High NA)极紫外光刻(EUV)技术用于DRAM大规模生产 。
三星表示,12英寸光罩有望提高晶圆厂生产效率、降低芯片制造成本 ,并减少光罩拼接限制。高NA EUV则有望延长DRAM制程微缩路线,通过更高分辨率简化工艺并提升生产效率。三星还将与行业合作伙伴共同开发12英寸光罩技术及配套基础设施 。
(文章来源:界面新闻)

9月8日 ,三星电子与阿斯麦(ASML)宣布扩大战略合作。三星将加入推动12英寸光罩技术发展的行业合作计划,并计划于2028年前首次将阿斯麦高数值孔径(High NA)极紫外光刻(EUV)技术用于DRAM大规模生产 。
三星表示,12英寸光罩有望提高晶圆厂生产效率、降低芯片制造成本 ,并减少光罩拼接限制。高NA EUV则有望延长DRAM制程微缩路线,通过更高分辨率简化工艺并提升生产效率。三星还将与行业合作伙伴共同开发12英寸光罩技术及配套基础设施 。
(文章来源:界面新闻)